Welkom bij www.icgogogo.com

Selecteer Taal

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Als de taal die u nodig heeft niet beschikbaar is, " Neem contact op met de klantenservice "

MMUN2131LT1G

Onderdeel nummer : MMUN2131LT1G
Fabrikant / Merk : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschrijving : TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
RoHs-status : Loodvrij / RoHS-conform
hoeveelheid beschikbaar 4200 pcs
Datasheets MMUN2131LT1G.pdf
Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
transistor Type PNP - Pre-Biased
Leverancier Device Pakket SOT-23-3 (TO-236)
Serie -
Weerstand - emitterbasis (R2) 2.2 kOhms
Weerstand - basis (R1) 2.2 kOhms
Vermogen - Max 246mW
Packaging Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
montage Type Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status Lead free / RoHS Compliant
gedetailleerde beschrijving Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Base Part Number MMUN21**L
MMUN2131LT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Afbeeldingen zijn alleen ter referentie. Zie productspecificaties voor productdetails.
Koop MMUN2131LT1G met vertrouwen van {Define: Sys_Domain}, 1 jaar garantie
Dien een -verzoek om offerte in op hoeveelheden die groter zijn dan die worden weergegeven.
Richtprijs (USD):
Aantal stuks:
Totaal:
$US 0.00

gerelateerde producten

Afleverings-proces